[发明专利]静态随机存储器阵列的字线抬升方法及装置有效
申请号: | 201610527768.3 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591178B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 王林 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419;G11C8/08;G11C7/10;G11C5/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭学秀;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种静态随机存储器阵列的字线抬升方法及装置,所述方法包括:获取被选中的静态随机存取存储器单元的信息;进行写操作时,将被选中的静态随机存取存储器单元的字线拉升至预设的电源电压,并将对应的第一位线和第二位线空置;当到达所述写操作结束前的预设时间时,将与被选中的静态随机存取存储器单元同一列的其他静态随机存取存储器单元的第一位线和第二位线进行预充电,以使得被选中的静态随机存取存储器单元的字线被耦合至预设的高电平。上述的方案,可以简易地实现SRAM单元在写操作时的字线电压的抬升,并减小SRAM存储阵列所占用的面积。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机 存储器 阵列 抬升 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种静态随机存储器阵列的字线抬升方法,所述静态随机存储器阵列包括多行多列的静态随机存取存储器单元,其中:相同行的静态随机存取存储器单元与同一字线耦接,不同行静态随机存取存储器单元分别与不同的字线耦接;相同列的静态随机存取存储器单元与相同的第一位线和第二位线耦接,不同列静态随机存取存储器单元分别与不同的第一位线和第二位线耦接;其特征在于,所述方法包括:获取被选中的静态随机存取存储器单元的信息;进行写操作时,将被选中的静态随机存取存储器单元的字线拉升至预设的电源电压,并将对应的第一位线和第二位线空置;当到达所述写操作结束前的预设时间时,将与被选中的静态随机存取存储器单元同一列的其他静态随机存取存储器单元的第一位线和第二位线进行预充电,以使得被选中的静态随机存取存储器单元的字线被耦合至预设的高电平。
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