[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括提供基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构的侧壁上形成侧墙，侧墙的材料为低k介质材料；在侧墙上形成掺氮层，掺氮层中氮的原子百分比含量大于侧墙中氮的原子百分比含量；形成掺氮层后，在栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；形成覆盖栅极结构和基底的层间介质层；在层间介质层内形成接触孔插塞，接触孔插塞与源漏掺杂区相接触。本发明在侧墙上形成掺氮层，在形成接触孔插塞时，掺氮层对侧墙起到保护作用，可以降低形成接触孔插塞的刻蚀工艺对侧墙的刻蚀速率，从而避免所述侧墙受到损耗或栅极结构暴露的现象，以避免所述接触孔插塞与栅极结构发生短路，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成侧墙，所述侧墙的材料为低k介质材料；在所述侧墙上形成掺氮层，所述掺氮层中氮的原子百分比含量大于所述侧墙中氮的原子百分比含量；形成所述掺氮层后，在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；形成覆盖所述栅极结构和基底的层间介质层；在所述层间介质层内形成接触孔插塞，所述接触孔插塞与所述源漏掺杂区相接触。