[发明专利]利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法

摘要

本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极‑单晶氧化物‑金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。

主权项

1.一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供氧化物单晶衬底，所述氧化物单晶衬底的一面为注入面；2)自所述注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在所述注入面形成下电极；或在所述注入面形成下电极，而后自所述注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入；离子注入的能量足以使注入离子到达所述氧化物单晶衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；3)提供支撑衬底，将步骤2)得到的结构与所述支撑衬底键合，且所述下电极的表面为键合面；4)沿所述缺陷层剥离部分所述氧化物单晶衬底，以得到氧化物单晶薄膜，并使得到的所述氧化物单晶薄膜及所述下电极转移至所述支撑衬底上；5)自所述支撑衬底的底部腐蚀所述支撑衬底以形成空腔，所述空腔暴露出所述下电极；6)在所述氧化物单晶薄膜表面形成上电极。