[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610527878.X | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591366B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供基底；在基底上形成金属栅极结构，所述金属栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的功函数层、以及位于功函数层上的金属层；在金属栅极结构顶部形成阻挡层；在金属栅极结构之间的基底上形成层间介质层；形成贯穿所述层间介质层的接触孔插塞；形成所述接触孔插塞后，对基底进行退火处理。本发明在形成金属栅极结构后，在金属栅极结构顶部形成阻挡层；所述阻挡层用于在后续退火处理过程中，对所述金属栅极结构起到保护作用，避免退火处理中的易扩散原子扩散至金属栅极结构的功函数层中，从而避免对功函数层的功函数值产生影响，进而可以优化半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成金属栅极结构，所述金属栅极结构包括栅介质层、位于所述栅介质层上的功函数层、以及位于所述功函数层上的金属层；在所述金属栅极结构顶部形成阻挡层；在所述金属栅极结构之间的基底上形成层间介质层；形成贯穿所述层间介质层的接触孔插塞；形成所述接触孔插塞后，对所述基底进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
