[发明专利]一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器在审

专利信息
申请号: 201610527961.7 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN106226268A 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 陈颖;罗佩;朱奇光;田亚宁;赵志勇;刘晓飞 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41
代理公司: 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 代理人: 李合印
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率nSi=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。该传感器具有结构简单、高Q值和高灵敏特性,可对低浓度气体进行精确、快速的测量,在低浓度气体的检测应用中具有较高的应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 倏逝波 谐振 多孔 气体 传感器
【主权项】:
一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,其特征在于,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率nSi=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。
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