[发明专利]一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，先用磁控溅射仪在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的Sn，称取不同量的硫粉，在管式炉中硫化得到SnS2，用无水乙醇、蒸馏水各洗涤3次，真空干燥。再用磁控溅射仪上在SnS2导电玻璃上溅射Sn，放在管式炉中真空烧结，得到目标产物。本法用磁控溅射的方法得到致密的Sn，在真空下烧结通过固相反应得到目标产物。本方法操作简单，对环境无污染，反应周期短，形成致密的薄膜。

主权项

一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的金属锡与不同量的硫粉在管式炉中不同温度、不同时间下硫化，得到的产物再利用磁控溅射对应厚度的金属锡，然后放在管式炉中不同温度、不同时间下真空烧结得到目标产物；本发明的制备二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的方法，其具体的步骤为：1）、用磁控溅射仪在洗涤干净的FTO玻璃上分别溅射50nm、100nm、150nm、200 nm的金属锡薄膜；2）、分别称取0.2g、0.5g、0.8g、1.0g的硫粉，分别称取0.2g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200 nm的金属锡在管式炉中温度设置为300℃，1h；350℃，3h；400℃，4h；450℃，2h；同理，分别称取0.5g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200 nm的金属锡在管式炉中温度设置为350℃，2h；300℃，4h；450℃，3h；400℃，1h；分别称取0.8g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200 nm的金属锡在管式炉中温度设置为400℃，3h；450℃，1h；300℃，2h；350℃，4h；分别称取1.0g的硫粉与50nm、100nm、150nm、200 nm的金属锡在管式炉中温度设置为450℃，4h；400℃，2h；350℃，1h；300℃，3h，将得到的产物用蒸馏水、无水乙醇各洗涤3次，真空干燥；3）、将上述得到的产物分别溅射按照步骤2）中对应厚度的金属锡薄膜，然后放在管式炉中按照步骤2）中对应的温度、时间真空烧结得到目标产物。