[发明专利]一种半导体晶片磨边工艺有效
| 申请号： | 201610528101.5 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106057646B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴晓桂;朱刘;刘留 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体晶片磨边工艺，包括以下步骤：S01、砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，且砂轮的进刀止点位于所述半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上；S02、旋转的砂轮对旋转一周的半导体晶片的圆形边缘进行打磨；S03、砂轮从所述半导体晶片的直线边缘一侧退刀后沿所述半导体晶体的直线边缘移动并旋转，对所述半导体晶片的直线边缘进行打磨。本磨边工艺分成两段进行，先对半导体晶片的圆形边缘进行打磨，再对半导体晶片的直线边缘进行打磨。且在砂轮进退刀时，砂轮不会触碰到半导体晶片的边缘，从而避免了砂轮进退刀时对半导体晶片边缘的触碰，不会产生缺口，提高了半导体晶片边缘的打磨光滑度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 磨边 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片磨边工艺，其特征在于，包括以下步骤：S01、砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，且砂轮的进刀止点位于所述半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上，砂轮的边缘不接触半导体晶片的直线边缘；S02、旋转的砂轮对旋转一周的半导体晶片的圆形边缘进行打磨；S03、砂轮从所述半导体晶片的直线边缘一侧退刀后沿所述半导体晶体的直线边缘移动并旋转，对所述半导体晶片的直线边缘进行打磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东先导先进材料股份有限公司，未经广东先导先进材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610528101.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
