[发明专利]等离子处理装置有效
申请号: | 201610528285.5 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106409720B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 尹泳植;郑载勳;尹大镐;曺宗焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 发明构思的示例性实施方式提供了一种等离子处理装置,所述等离子处理装置具有基底支撑单元、等离子单元、第一旋转驱动单元以及气体供应部分。基底支撑单元支撑基底。等离子单元生成等离子并将等离子提供至基底。第一旋转驱动单元联接至等离子单元以相对于基底支撑单元旋转等离子单元。气体供应部分将源气体供应至等离子单元。等离子单元包括本体、位于本体中的第一电极、位于本体中并面对第一电极的第二电极,以及位于第一电极与第二电极之间以在其中流过源气体的管路。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子处理装置,包括:基底支撑件,配置为对基底进行支撑;等离子发生器,配置为生成等离子并向所述基底提供所述等离子;第一旋转驱动器,联接至所述等离子发生器,以相对于所述基底支撑件旋转所述等离子发生器;以及气体供应器,配置为将源气体供应至所述等离子发生器,其中,所述等离子发生器包括:本体;第一电极,位于所述本体中;第二电极,位于所述本体中并且面对所述第一电极;以及管路,位于所述第一电极与所述第二电极之间,以在其中流过所述源气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造