[发明专利]热处理装置以及热处理方法在审
| 申请号： | 201610528458.3 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106340474A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 谷村英昭;松尾郁;布施和彦;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 向勇,崔炳哲 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低腔室内的污染的热处理装置以及热处理方法。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。通过加热器(22)加热从气体供给源(85)供给的处理气体，然后向腔室(6)内供给。另外，通过流量调整阀(21)增加向腔室(6)内供给的处理气体的流量。通过向腔室(6)内大流量地供给高温的处理气体来形成其气流，能够将在加热处理时从半导体晶片(W)的膜扩散的污染物向腔室(6)外排出，从而降低腔室(6)内的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理装置，通过向基板照射光来对该基板进行加热，该热处理装置的特征在于，具有：腔室，用于容置基板；支座，在所述腔室内支撑基板；光照射部，向被所述支座支撑的基板照射光；气体供给部，向所述腔室内供给处理气体；气体加热部，对从所述气体供给部向所述腔室供给的所述处理气体进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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