[发明专利]一种缓解甜瓜幼苗盐胁迫的方法在审

专利信息
申请号: 201610528815.6 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN105900818A 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 高青海;吴燕;贾双双 申请(专利权)人: 安徽科技学院
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01N59/06;A01N43/38;A01P21/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233100 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种缓解甜瓜幼苗盐胁迫的方法,属于蔬菜栽培生产技术领域。挑选大小一致的甜瓜种子,播入基质为蛭石+草炭(1V∶1V)的穴盘中,培养10‑15d后幼苗长至二叶一心,移栽至基质为蛭石+草炭+珍珠岩(1.5V∶1.5V:1V)的营养钵中,待生长至3‑4片真叶,然后将甜瓜幼苗放置在昼夜温度为30/15±2℃,光照150‑800μmol·m‑2·s‑1日光温室内进行培养,并利用外源物质为褪黑素(MT)和氯化钙(CaCl2)的混合液进行喷施处理,1d后进行盐胁迫处理,盐胁迫采取100mmol·L‑1NaCl。当喷施外源物质为75‑150μmol·L‑1的MT和5mmol·L‑1的CaCl2混合溶液最有利于缓解甜瓜幼苗的盐胁迫效应。本发明具有操作简单、缓解效果明显,植株生长快速健壮等优点,可以应用于盐渍化土壤条件下甜瓜优质高产生产等领域。
搜索关键词: 一种 缓解 甜瓜 幼苗 胁迫 方法
【主权项】:
一种缓解甜瓜幼苗盐胁迫的方法,包括以下步骤:1)幼苗的制备:挑选饱满、大小一致的甜瓜种子直播入蛭石+草炭(1V∶1V)的32孔穴盘中,10‑15d处理幼苗长至二叶一心后,移栽至基质为蛭石+草炭+珍珠岩(1.5V∶1.5V:1V)的营养钵中(高20cm×宽10cm)中生长至3‑4片真叶;2)幼苗处理:首先将长势一致带有3‑4片真叶甜瓜幼苗喷施外源缓解物质为75‑150μmol·L‑1的褪黑素MT+5mmol·L‑1的CaCl2混合溶液,在喷施1d后采用100mmol·L‑1NaCl溶液进行盐胁迫处理,每个营养钵浇灌50mL,每隔3d处理1次,处理时间为15d;3)条件控制:所述的外源缓解物质施用方法为采取喷壶在甜瓜叶片上喷成雾状并直至叶片滴水为止,施用时间为17:00‑18:00,保持光强为150‑500μmol·m‑2·s‑1,昼夜温度为30/15±2℃,相对湿度为70%‑85%。
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