[发明专利]基于微尺寸近临界密度等离子体的伽马射线源及产生方法有效
| 申请号： | 201610529255.6 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN105957575B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王剑 | 申请（专利权）人： | 内江师范学院 |
| 主分类号： | G21G4/06 | 分类号： | G21G4/06 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙)51228 | 代理人： | 张鸣洁 |
| 地址： | 641000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于微尺寸近临界密度等离子体的伽马射线源，包括真空靶室系统及设置在所述的真空靶室系统内侧的复合结构靶，所述的复合结构靶包括靶框及设置在靶框一侧的金属钽柱，在所述的靶框远离所述的金属钽柱一端覆盖有低密度碳氢层，在所述的金属钽柱与所述的靶框之间设置有密闭空腔，所述的低密度碳氢层厚度为10μm，平均密度为5mg/cm3，所述的靶框为非金属制成。本发明还公开了一种基于微尺寸近临界密度等离子体的伽马射线源产生方法。本发明相比现有技术的其他激光伽马射线源相比，具有源尺寸小、源亮度高、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 尺寸 临界 密度 等离子体 伽马射线 产生 方法 | ||
【主权项】：
基于微尺寸近临界密度等离子体的伽马射线源，其特征在于：包括真空靶室系统(101)及设置在所述的真空靶室系统(101)内侧的复合结构靶(104)，所述的复合结构靶(104)包括靶框(202)及设置在靶框(202)一侧的金属钽柱(203)，在所述的靶框(202)远离所述的金属钽柱(203)一端覆盖有低密度碳氢层(201)，在所述的金属钽柱(203)与所述的靶框(202)之间设置有密闭空腔，所述的低密度碳氢层(201)厚度为10μm，平均密度为5mg/cm3，所述的靶框(202)为非金属制成。
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