[发明专利]一种测试Nand flash生命周期的方法有效
| 申请号： | 201610529751.1 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106205737B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 孙日欣;孙成思;李振华;黄善勇;叶欣;张翔;邝祖智 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G11C29/44 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明;刘晓燕 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试Nand flash生命周期的方法，包括以下步骤:建立Nand flash的虚拟坏块表；根据虚拟坏块表进行生命周期检测。本发明利用一份虚拟坏块表代替现有技术中实际扫描得到的原始坏块表，根据虚拟坏块表进行生命周期测试，大大减小了测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 nand flash 生命周期 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于，包括以下步骤：建立Nand flash的虚拟坏块表；根据虚拟坏块表进行生命周期检测；其中，建立虚拟坏块表前还包括建立原始坏块表的步骤；其中，根据虚拟坏块表进行生命周期检测具体包括：根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期，并结合虚拟坏块表和原始坏块表估算实际生命周期；其中，所述虚拟坏块表中虚拟坏块的数量大于原始坏块表中的坏块数量，且覆盖原始坏块表中的所有坏块。
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