[发明专利]一种传导冷却高功率半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201610530533.X 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN106058636B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 朱其文;张普;吴的海;刘兴胜;熊玲玲;聂志强 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/40
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 陈广民
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种传导冷却高功率半导体激光器,包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块,其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端;正、负极连接块相对的内侧面分别具有第一凸台和第二凸台;第一凸台和第二凸台均为L型,两者呈中心对称设置;第一凸台和第二凸台共同作为激光器的热沉;L型长部与绝缘导热块竖部的两个端面相贴并焊接;L型短部为孔板形式作为引出电极;正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与绝缘导热块横部的两个端面相贴并焊接;正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与激光芯片组的正、负极端相贴并焊接。本发明结构简单、集成性好。
搜索关键词: 一种 传导 冷却 功率 半导体激光器
【主权项】:
一种传导冷却高功率半导体激光器,包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块、绝缘导热块;所述激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块;叠阵模块芯片堆叠方向的两个外端面分别作为激光芯片组的正极端和负极端,其特征在于:所述绝缘导热块为T型结构;所述正极连接块具有第一凸台,所述负极连接块具有第二凸台;所述第一凸台和第二凸台均为L型,两者呈中心对称设置,分别位于正极连接块和负极连接块相对的内侧面;所述第一凸台和第二凸台共同作为半导体激光器的热沉;所述第一凸台和第二凸台的L型长部与绝缘导热块T型结构竖部的两个端面相贴并焊接;所述第一凸台和第二凸台的L型短部为孔板形式作为引出电极;所述正极连接块和负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与绝缘导热块T型结构横部的两个端面相贴并焊接;所述正极连接块和负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与激光芯片组的两个外端面相贴并焊接,将激光芯片组安装固定;所述激光芯片组的安装位置对应于所述热沉的中部,同时位于绝缘导热块T型结构横部的正上方。
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