[发明专利]一种薄膜电极制备方法及装置

摘要

本发明实施例公开了一种薄膜电极制备方法及装置，对制备Mo的衬底进行清洗；将清洗后的制备Mo的衬底置于Mo溅射线的预热腔室；将烘干后的制备Mo的衬底置于Mo溅射腔室，进行MoOx溅射；进行Mo工艺的溅射，使用MoOx不通氧气的工艺，通过两层工艺，第一层在溅射过程中通入少量氧气(0.001％‑0.5％)形成MoOx化合物，此过渡层MoOx与玻璃等衬底具有良好的粘附力，其他根据Mo电极的要求进行正常的磁控溅射工艺，从而提高基底粘附力，实现提高量产效率的目的。

主权项

1.一种薄膜电极制备方法，其特征在于，所述薄膜电极制备方法包括：对制备Mo的衬底进行清洗；所述对制备Mo的衬底进行清洗具体包括：把所述制备Mo的衬底放入含专业玻璃清洗液的去离子水中，用滚刷清洗，并用去离子水去除清洗液；使用气液二流体深度清洗，用氮气吹干，并用灯管或加热板烘干，所述气液二流体包括氮气和去离子水；将清洗后的所述制备Mo的衬底置于预热腔室；所述预热腔室的温度为50‑150℃，烘烤清洗后的所述制备Mo的衬底半个小时以上，去除玻璃衬底上的水汽；将烘干后的所述制备Mo的衬底置于Mo溅射腔室，进行MoOx溅射，具体包括：将烘干后的所述制备Mo的衬底置于Mo溅射腔室，进行MoOx溅射，选择电流模式，电流0.8A，气压0.8‑1.2Pa，温度室温，氧气/(氩气+氧气)的比例0.5％，衬底移动速度2m/min，溅射厚度20nm‑50nm；进行Mo溅射，具体包括：选择电流模式，电流0.8A，气压0.8‑1.2Pa，温度室温，氩气流量40‑60SCCM，衬底移动速度2m/min，溅射厚度200nm，该步骤不通氧气。