[发明专利]改善器件性能的方法在审
| 申请号： | 201610531705.5 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591329A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善器件性能的方法，包括提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成功函数层；对所述功函数层进行退火处理，所述退火处理在含有晶化促进离子的氛围下进行，所述退火处理适于减小所述功函数层的晶粒尺寸；在进行所述退火处理之后，在所述功函数层上形成金属层。本发明减小了功函数层的晶粒尺寸，使得不同功函数层之间的等效功函数值差异性减小，从而改善了器件中不同晶体管之间的失配问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善器件性能的方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成功函数层；对所述功函数层进行退火处理，所述退火处理在含有晶化促进离子的氛围下进行；在进行所述退火处理之后，在所述功函数层上形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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