[发明专利]非挥发性存储器及其读取数据的方法在审
| 申请号： | 201610531757.2 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591180A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;许家铭;刘晓艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器及其读取数据的方法，所述存储器包括存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与第二存储单元对应相连的偶数位线。本发明所述的奇数位线和偶数位线的结构和形成工艺相同，因此，奇数位线和偶数位线的寄生电容值和漏电流相近，读取数据时，可以避免因奇数位线和偶数位线的漏电流或寄生电容值差异过大引起的数据误差，可以提高读取数据的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 读取 数据 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与所述第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与所述第二存储单元对应相连的偶数位线；多个第一选择电路，与所述奇数位线对应相连，控制相应奇数位线上的第一存储单元输出第一输出电压；多个第二选择电路，与所述偶数位线对应相连，控制相应偶数位线上的第二存储单元输出第二输出电压；比较电路，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端与第一选择电路相连，所述第二输入端与第二选择电路相连；偏置驱动电路，用于产生偏置电压，还用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载所述偏置电压，以使比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息；还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。
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