[发明专利]一种具有埋层结构的槽栅型MOS

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有埋层结构的槽栅型MOS。相比传统的槽栅型，本发明通过引入在示意图的x方向和y方向具有不同深度的P型体区，使得槽栅的下方仍为P型区域，降低了该结构的栅漏电容(Cgd)和栅源电容(Cgs)的比值，在x方向的倒梯形P型体区还改善了槽栅拐角区域的峰值电场。通过在外延层区域加入适当的反型埋层区域，引入了横向电场，有效地提高其耐压能力，加入的埋层结构使得槽栅下方的N‑外延层区域可以提高掺杂浓度，降低导通电阻。

主权项

一种具有埋层结构的槽栅型MOS，包括从下至上依次层叠设置的漏极电极(1)、N型重掺杂单晶硅衬底(2)和N‑外延层(3)；所述N‑外延层(3)上层具有第一槽栅结构(61)、第二槽栅结构(62)和P型体区(4)；沿器件横向方向，所述P型体区(4)的两侧为第一槽栅结构(61)，沿器件纵向方向，所述P型体区(4)的两侧为第二槽栅结构(62)，所述器件横向方向和器件纵向方向位于同一水平面且相互垂直，所述第一槽栅结构(61)和第二槽栅结构(62)均由栅氧化层(7)及位于栅氧化层(7)中的栅电极构成，所述栅氧化层(7)与P型体区(4)接触；所述P型体区(4)上层具有N+重掺杂区(5)，所述N+重掺杂区(5)为闭环结构，在器件的俯视图中呈“口”字形，所述N+重掺杂区(5)的侧面与栅氧化层(7)接触；所述N+重掺杂区(5)的部分上表面及N+重掺杂区(5)之间的P型体区(4)上表面具有源极电极(8)；所述N‑外延层(3)中具有多个P+重掺杂埋层结构(9)，沿器件横向方向和器件纵向方向，所述P+重掺杂埋层结构(9)呈垂直交叉的网格状分布，且P+重掺杂埋层结构(9)位于栅氧化层(7)与P型体区(4)接触面的正下方；沿器件横向方向和器件纵向方向，沿器件垂直方向，所述P型体区(4)的宽度从中部到下部逐渐缩小。