[发明专利]一种积累型二极管在审
| 申请号： | 201610532273.X | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105932072A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;曹晓峰;陈哲;李爽;陈文梅;林育赐;谢驰;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型二极管。本发明的积累型二极管，其特征在于，通过在二氧化硅层中注入Cs+离子，使二氧化硅层带正电荷。利用二氧化硅层中的正电荷在N‑漂移区中形成积累层，可以在不影响反向击穿电压情况下，具有较大的正向电流、较小的导通压降、较小的反向漏电流等特性，且器件在高温下的可靠性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 积累 二极管 | ||
【主权项】：
一种积累型二极管，包括从下至上依次层叠设置的金属化阴极(1)、N+衬底(2)、N‑漂移区(3)和金属化阳极(9)；所述N‑漂移区(3)上层具有N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(7)，所述P型重掺杂区(7)位于N型重掺杂区(6)之间，所述N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(7)的上表面与金属化阳极(9)连接；所述N‑漂移区(3)中还具有二氧化硅层(4)、P型埋层区(5)和P型柱区(8)，所述二氧化硅层(4)位于N型重掺杂区(6)远离P型重掺杂区(7)的一侧，且二氧化硅层(4)分别与N型重掺杂区(6)和金属化阳极(9)接触；所述P型埋层区(5)位于二氧化硅层(4)之间且位于P型重掺杂区(7)的正下方；所述P型柱区(8)的上表面与P型重掺杂区(7)的下表面连接，P型柱区(8)的下表面与P型埋层区(5)的上表面接触；所述二氧化硅层(4)带正电荷。
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