[发明专利]指纹产品封装结构的金线打线方法在审
申请号: | 201610532576.1 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN105977174A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 倪俊阳 | 申请(专利权)人: | 力成科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种指纹产品封装结构的金线打线方法,所述指纹产品封装结构包括:一基板;一芯片,堆叠于所述基板的顶面上;所述芯片和基板之间用胶带粘接;封装结构的封装空间内填充有绝缘树脂,所述芯片通过金线键合技术电性连接至所述基板。本发明所述指纹产品封装结构的金线打线方法相较于现有技术具有如下优点:采用多段式放线,每个放线阶段都精确控制,在前4个阶段放出适量线之后,通过后2个阶段再进行高度及强度控制,可以有效达到超低弧高,小于60μm,且不会出现断裂及损伤,有效获得更好的指纹信号。 | ||
搜索关键词: | 指纹 产品 封装 结构 金线打线 方法 | ||
【主权项】:
一种指纹产品封装结构的金线打线方法,所述指纹产品封装结构包括:一基板;一芯片,堆叠于所述基板的顶面上;所述芯片和基板之间用胶带粘接;封装结构的封装空间内填充有绝缘树脂,所述芯片通过金线键合技术电性连接至所述基板,其特征在于,所述金线的打线方法包括以下步骤:(1)在将焊球焊在焊垫上之后,瓷嘴沿Z方向放出大约35~45μm的金线作为线弧的基础高度;所述Z方向为基板往芯片的垂直向上的方向;所述瓷嘴为毛细管劈刀;(2)当瓷嘴达到距离焊垫35~45μm时,瓷嘴停止Z方向运动,沿基板往芯片方向放出约5~10μm的金线;(3)停止放线,瓷嘴向Z反方向压低3~5μm,将线弧压出轻微弧度;(4)继续沿Z方向放出10~15μm的金线;(5)停止放线,沿芯片往基板方向移动5~10μm,使瓷嘴再次回到焊垫正上方;(6)利用瓷嘴向下压10~15μm,使最终的金线线弧高度达到<60μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造