[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，将公共电极在阵列基板中的膜层位置进行变更，便于采用一次构图工艺形成位于相邻膜层的公共电极和栅极的图形，节省一道制作工序，有利于减少制作过程中的构图次数，提高了阵列基板的制造效率，降低了生产成本。并且，在栅极和公共电极的图形上依次形成栅绝缘层、有源层、源漏极和数据线、绝缘层以及像素电极的图形时，像素电极与源漏极和数据线位于不同膜层，像素电极需要通过贯穿绝缘层的第一过孔与源漏极中的源极相连，这样，可以避免像素电极与数据线位于相邻膜层时可能存在短路情况，也降低了数据线与像素电极之间的寄生电容。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成位于相邻膜层的公共电极和栅极的图形；在所述栅极和公共电极的图形上依次形成栅绝缘层、有源层、源漏极和数据线、绝缘层以及像素电极的图形；其中，所述像素电极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述源漏极和数据线中的源极相连；所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成位于相邻膜层的公共电极和栅极的图形，具体包括：在衬底基板上依次形成透明金属氧化物薄膜层和金属层；在所述金属层上形成一光刻胶层，使用一掩模板对所述光刻胶层进行曝光显影，得到光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述光刻胶完全保留区域对应于形成栅极的图形区域，所述光刻胶部分保留区域对应于形成公共电极的图形区域；对所述光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域分别进行刻蚀，形成公共电极和栅极的图形。