[发明专利]一种基于硅通孔技术的低通滤波器有效
| 申请号： | 201610533310.9 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106158835B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;王刚;余宁梅 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人： | 张蓓 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于滤波器，具体涉及一种基于硅通孔技术的低通滤波器，包括螺旋电感单元、重新布线层和硅通孔组件，所述螺旋电感单元由螺旋电感一和螺旋电感二组成，所述重新布线层包括输入端、输出端、接地金属、互连层一和互连层二，所述硅通孔组件中包括五个结构相同的同轴型硅通孔，分别为硅通孔一、硅通孔二、硅通孔三、硅通孔四和硅通孔五，所述同轴型硅通孔由外向内依次包括第一介质层、外金属层、第二介质层和金属芯层；本发明采用同轴型硅通孔实现垂直的电容器，相对于普通的平面结构电容器，大大缩小了电容器所占面积，将器件尺寸缩小到微米量级，不仅可以提高电路的集成度，而且节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅通孔 技术 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅通孔技术的低通滤波器，包括螺旋电感单元、重新布线层和硅通孔组件，其特征在于：所述螺旋电感单元由螺旋电感一（1）和螺旋电感二（2）组成，所述重新布线层包括输入端（3）、输出端（5）、接地金属（4）、互连层一（6）和互连层二（7），所述硅通孔组件中包括五个结构相同的同轴型硅通孔，分别为硅通孔一（8）、硅通孔二（9）、硅通孔三（10）、硅通孔四（11）和硅通孔五（12），所述同轴型硅通孔由外向内依次包括第一介质层、外金属层、第二介质层和金属芯层；所述硅通孔组件中五个硅通孔的外金属层通过接地金属（4）相连接且与地相连，所述硅通孔二（9）、硅通孔三（10）和硅通孔四（11）的金属芯层顶部通过互连层一（6）连接并且与螺旋电感一（1）相连，底部通过互连层二（7）连接并且与螺旋电感二（2）相连，所述硅通孔一（8）的金属芯层顶部与输入端（3）、螺旋电感一（1）依次相连，所述硅通孔五（12）的金属芯层顶部与输出端（5）相连，底部与螺旋电感二（2）相连。
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