[发明专利]一种同步整流电路装置

摘要

本申请公开了一种同步整流电路装置，包括：第一同步整流驱动电路和第二同步整流驱动电路；所述第一同步整流驱动电路包括：第一同步整流MOS管、第一驱动电路和受第二同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路；所述第二同步整流驱动电路包括：第二同步整流MOS管、第二驱动电路和受第一同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路。本发明通过设置受同步整流MOS管栅极电位控制的交叉锁定电路，可以有效避免两同步整流MOS管同时导通现象。

主权项

1.一种同步整流电路装置，其特征在于，包括：第一同步整流驱动电路和第二同步整流驱动电路；所述第一同步整流驱动电路包括：第一同步整流MOS管(Q11)、第一驱动电路(11)和受第二同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路(12)；所述第二同步整流驱动电路包括：第二同步整流MOS管(Q21)、第二驱动电路(21)和受第一同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路(22)；所述第一同步整流MOS管(Q11)的漏极接次级绕组(NS)的第一端，所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极接次级公共电位参考点(GND)；所述第二同步整流MOS管(Q21)的漏极接次级绕组(NS)的第二端，所述第二同步整流MOS管(Q21)的源极接次级公共电位参考点(GND)；所述第一驱动电路和所述第二驱动电路的结构相同，其中，所述第一驱动电路包括：第一耦合电容(C11)、第一反向充电二极管(D12)、第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)、第一放电隔离二极管(D11)、第一放电速率控制三极管(Q12)、第一基极电阻(R12)、第一集电极电阻(R13)、第一同步整流MOS管栅‑源泄放电阻(R14)和第一同步整流驱动绕组(NS1)；所述第一同步整流驱动绕组(NS1)的第一端依次通过第一耦合电容(C11)、第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一放电隔离二极管(D11)的正极相连，所述第一放电隔离二极管(D11)的负极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连；所述第一同步整流驱动绕组(NS1)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连；所述第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一耦合电容(C11)之间的连接点通过所述第一基极电阻(R12)与所述第一放电速率控制三极管(Q12)的基极相连，所述第一放电速率控制三极管(Q12)的发射极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连，所述第一放电速率控制三极管(Q12)的集电极通过第一集电极电阻(R13)与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连；所述第一同步整流MOS管栅‑源泄放电阻(R14)的第一端与所述第一同步整流MOS管(Q11)栅极相连，所述第一同步整流MOS管栅‑源泄放电阻(R14)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连；所述第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一耦合电容(C11)之间的连接点与所述第一反向充电二极管(D12)的负极相连，所述第一反向充电二极管(D12)的正极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连；所述第一同步整流驱动绕组(NS1)和所述第二驱动电路内第二同步整流驱动绕组(NS2)与变压器(T)次级绕组(NS)共同缠绕在同一磁芯骨架上；所述受第二同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路(12)包括：第一控制电阻(R15)和第一控制三极管(Q13)；所述第一控制电阻(R15)的第一端与所述第一控制三极管(Q13)的基极相连，所述第一控制电阻(R15)的第二端与所述第二同步整流MOS管(Q21)的栅极相连；所述第一控制三极管(Q13)的发射极接次级公共电位参考点(GND)，所述第一控制三极管(Q13)的集电极与所述第一放电速率控制三极管(Q12)的基极相连；所述受第一同步整流MOS管栅‑源电压控制的锁定电路(22)包括：第二控制电阻(R25)和第二控制三极管(Q23)；所述第二控制电阻(R25)的第一端与所述第二控制三极管(Q23)的基极相连，所述第二控制电阻(R25)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连；所述第二控制三极管(Q23)的发射极接次级公共电位参考点(GND)，所述第二控制三极管(Q23)的集电极与所述第二驱动电路(21)内第二放电速率控制三极管(Q22)的基极相连。