[发明专利]一种半导体激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201610534175.X | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106099641A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郭经纬;武晓琴;刘妍;徐朝鹏;王海燕 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/323 |
| 代理公司： | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 | 代理人： | 李合印 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：a、在清洁的衬底表面制备锥状n型欧姆接触层；b、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；c、在n型限制层表面制备本征层；d、在本征层表面制备p型限制层；e、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学，未经燕山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610534175.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
