[发明专利]一种高纯二硅化钽粉末制备方法在审
申请号: | 201610534377.4 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN106044778A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 郑贵林;武桂燕;林涛 | 申请(专利权)人: | 福斯曼科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C01B33/06 | 分类号: | C01B33/06 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100012 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高纯硅化钽粉末制备方法,包括如下步骤:将‑500目硅粉和‑300目钽粉以及添加剂NH4Cl按配比称重,球磨混合均匀,装入陶瓷坩埚并振实到一定密实程度,装入燃烧合成炉,抽真空通入氩气预热后点燃发生燃烧合成,冷却后球磨得到所需的二硅化钽粉末。与现有制造方法相比,本发明方法的合成团块松散,容易破碎,且全部为二硅化钽相的二硅化钽粉末。因此,本发明方法能够制备具有粒度可控性好,纯度高的单相二硅化钽粉末。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 二硅化钽 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯二硅化钽粉末制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)将‑500目硅粉和‑300目钽粉按TaSi2的化学计量比称重;2)加入NH4Cl粉末;3)将上述粉末球磨,球料比4:1‑8:1,球磨时间8‑12小时;4)将球磨后的粉末装入碳化硅坩埚中,放在振动台上振实;5)将装粉末的坩埚装入合成炉中,抽真空后充入氩气,升温、用钨丝通电引燃二硅化钽合成反应;6)冷却后用氧化锆球和罐破碎得到最终粉末产品,经XRD检测全部为二硅化钽相。
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