[发明专利]鳍式场效晶体管装置与形成鳍式场效晶体管装置的方法有效
| 申请号： | 201610534560.4 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106653833B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;洪奇成;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效晶体管装置与形成鳍式场效晶体管装置的方法。鳍式场效晶体管装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构包含有设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含有钛铝合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。鳍式场效晶体管装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构含有设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效晶体管装置，其特征在于，包含：一半导体基材；一第一半导体鳍片，在该半导体基材上；以及一n型栅极结构，位于该第一半导体鳍片上，其中该n型栅极结构包含：一第一初始层，位于该第一半导体鳍片上；一第一高介电常数介电层，位于该第一初始层上并被一第一栅极间隙壁所包围；以及一n型功函数金属层，设置在该第一高介电常数介电层上，该n型功函数金属层包含一钛铝合金，其中钛对铝的原子比介于1至3，该n型功函数金属层的二表面含有低于10原子百分比的氧浓度；一第一阻挡金属层设置在该n型功函数金属层上；以及一第一金属填充层，周边包围有该第一阻挡金属层。
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