[发明专利]一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法有效
| 申请号： | 201610534964.3 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106054519B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李腾跃;吴天准;孙滨;杜学敏 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26;A61F9/08 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光刻 制备 三维 微电极 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在硅衬底上形成第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成第一绝缘层；(2)形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与所述第一光刻胶层至所述硅衬底的上表面的孔洞，并在所述孔洞内填充金属以形成金属体；(3)形成一端与所述金属体的上表面连接的金属引线；所述金属引线的另一端连接焊盘；(4)在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述金属体的上表面以及所述金属引线；(5)去除所述硅衬底，使所述金属体的下表面暴露出来；(6)去除所述第一光刻胶层，使所述金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。
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