[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610535078.2 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106469688B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 中岛经宏;高桥良和;梨子田典弘 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/498;H01L25/11;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够简化制造，并能够使半导体装置的厚度变薄的半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置具备：绝缘电路基板(40)，在一个主面具有第一金属层(2)和第十金属层(23)；金属板(5)，与第一金属层(2)电连接；第一半导体元件(7)，在正面和背面具备多个金属电极(7c)；第一绝缘部件(8)，配置在第一半导体元件(7)的侧面；第二绝缘部件(9)，配置在第一绝缘部件(8)上和第一半导体元件(7)上；以及第六金属层(11a)，至少一部分配置在第二绝缘部件(9)上，且将第一半导体元件(7)的金属电极(7c)与第十金属层(23)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘电路基板，在一个主面具有第一金属层和第十金属层；金属板，与所述第一金属层电连接；第一半导体元件，在正面和背面具备多个第一金属电极；第一绝缘部件，配置在所述第一半导体元件的侧面；第二绝缘部件，配置在所述第一绝缘部件上和所述第一半导体元件上；以及第六金属层，至少一部分配置在所述第二绝缘部件上，且将所述第一半导体元件的所述第一金属电极与所述绝缘电路基板上的所述第十金属层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610535078.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：电子元件及其形成方法
