[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201610536681.2 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106098884A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 李耀刚;王艳伟;李佳慧;王宏志;张青红 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达;魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法,发光二极管的结构依次为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;其中,电子传输层为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯PCBM薄膜。制备方法为旋涂法。本发明的电子传输层能有效提高激子复合几率和器件的发光效率,同时,量子点发光二极管为典型的三明治结构,采用旋涂法层层组装,制备方法简单易行,利于制作大面积的发光器件,在量子点发光二极管领域具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种量子点发光二极管,其特征在于:所述量子点发光二极管的结构依次为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;其中,电子传输层为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯PCBM薄膜。
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