[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底上包含介质层；在介质层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层中形成条状开口；在条状开口上形成两个以上沿条状开口长度方向分布的柱状结构；在柱状结构的侧面形成位于硬掩膜层上的侧墙，侧墙沿同一条状开口长度方向上的两倍厚度小于同一条状开口上相邻两个柱状结构之间的距离；去除柱状结构；以侧墙和硬掩膜层为掩模，在介质层中形成通孔或者沟槽。本发明所提供的半导体器件的形成方法在同一条状开口上柱状结构所占据的位置和相邻两个侧墙之间的位置都形成通孔或者沟槽，使得在同一条状开口上相邻两个柱状结构之间增加形成一个通孔或者沟槽，从而形成密集排列的通孔或者沟槽阵列。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成一个或多个第一条状结构；在每一所述第一条状结构的侧面形成位于所述衬底上的第一侧墙；去除全部所述第一条状结构；形成覆盖所述第一侧墙和所述衬底的牺牲层；在所述牺牲层上形成一个或多个第二条状结构，每一所述第二条状结构的长度方向与所述第一侧墙的长度方向呈大于或等于45°且小于或等于90°的夹角；在每一所述第二条状结构的侧面形成位于所述牺牲层上的第二侧墙；以所述第二侧墙为掩模，蚀刻所述牺牲层和所述第一侧墙，并去除所述牺牲层，形成立柱。