[发明专利]一种利用氨水插层、剥离二维晶体碳化钛纳米材料的方法在审
| 申请号： | 201610536766.0 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106185936A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 于云;冯爱虎;王勇;江峰;史智慧;于洋;米乐;曹韫真;宋力昕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/30 | 分类号： | C01B31/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用氨水插层、剥离二维晶体碳化钛纳米材料的方法，将二维晶体碳化钛材料加入到氨水中，利用高速剪切机进行插层、剥离，再经清洗、真空干燥后得到层间距增大的二维晶体碳化钛纳米材料。本发明的二维晶体碳化钛纳米材料层间距较大，可在一定程度克服碳化钛之间的团聚效应，增大其比表面积，提高其在超级电容器、锂离子电池、吸附等方面的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 氨水 剥离 二维 晶体 碳化 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种利用氨水插层、剥离二维晶体碳化钛纳米材料的方法，其特征在于，将二维晶体碳化钛材料加入到氨水中，利用高速剪切机进行插层、剥离，再经清洗、真空干燥后得到层间距增大的二维晶体碳化钛纳米材料。
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