[发明专利]用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物和方法

摘要

本文描述用于沉积碳‑掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳‑掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。

主权项

用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物，其包含：前体，所述前体包含至少一种选自下述的化合物：(i)具有式R⁸N(SiR⁹(NR¹⁰R¹¹)H)₂的有机氨基硅烷；(ii)具有式R⁸N(SiR⁹LH)₂的有机氨基硅烷；及其组合；其中R⁸和R⁹各自独立地选自氢、C₁至C₁₀直链或支链烷基、C₃至C₁₀环状烷基、直链或支链C₂至C₁₀烯基、直链或支链C₂至C₁₀炔基、C₅至C₁₀芳基、和C₃至C₁₀饱和或不饱和杂环基；及R¹⁰和R¹¹各自独立地选自C₁至C₁₀直链或支链烷基、C₃至C₁₀环状烷基、直链或支链C₂至C₁₀烯基、直链或支链C₂至C₁₀炔基、C₅至C₁₀芳基、和C₃至C₁₀饱和或不饱和杂环基；和其中R¹⁰和R¹¹可以形成环状环或烷基取代的环状环；和L＝Cl、Br、I。