[发明专利]一种掺硼金刚石粉末的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610536965.1 申请日: 2016-07-09
公开(公告)号: CN106119807B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 张贵峰;索妮;王蕾;黄昊 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/56;C23C16/02;C01B32/26
代理公司: 大连理工大学专利中心21200 代理人: 温福雪,李宝元
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于新材料合成领域,提供了一种掺硼金刚石粉末的制备方法。将硼源的乙醇溶液超声振荡形成分散液,滴到载体上,烘干即得衬底;采用HFCVD法制备金刚石薄膜,在100%氢气环境下,对衬底进行精细净化和活化处理,活化处理时间为20‑40min;活化处理与金刚石薄膜沉积过程中,温度维持2000‑2200℃,控制衬底温度为650‑950℃,反应室内总压强20‑70Torr;金刚石薄膜沉积时,甲烷浓度为0.5%‑2%,沉积时间1‑6h;将金刚石薄膜放入管式炉中,抽真空后通入保护气体,扩散退火处理。此方法具有简单、方便、安全、掺硼量可控等优点。特别适用于作燃料电池阴极催化剂的BDD电极制备。
搜索关键词: 一种 金刚石 粉末 制备 方法
【主权项】:
一种掺硼金刚石粉末的制备方法,其特征在于,步骤如下:(1)依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗载体15min,烘干;(2)将浓度为2.5‑12.5mg/mL硼源的乙醇溶液超声振荡30min形成分散液,滴到载体上,烘干即得衬底;(3)采用HFCVD法制备金刚石薄膜,在100%氢气环境下,对步骤(2)烘干后的衬底进行精细净化和活化处理,活化处理时间为20‑40min;活化处理与金刚石薄膜沉积过程中,温度维持2000‑2200℃,控制衬底温度为650‑950℃,反应室内总压强20‑70Torr;金刚石薄膜沉积时,甲烷浓度为0.5%‑2%,沉积时间1‑6h;(4)将金刚石薄膜放入管式炉中,抽真空后通入保护气体,扩散退火处理,退火温度1100‑1600℃,退火时间为3‑6h。
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