[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201610537318.2 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107591447B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 杨晓蕾;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：形成衬底，衬底上具有鳍部；形成位于鳍部上的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成开口；向开口的底部和侧壁注入防穿通离子；形成半导体层；形成源漏掺杂区。本发明技术方案在栅极结构两侧的鳍部内形成开口后，通过对开口的底部和侧壁进行防穿通注入，在鳍部内形成防穿通区域。由于防穿通注入是对开口的底部和侧壁进行的，因此防穿通注入的防穿通离子不穿过晶体管的沟道，有利于控制所形成防穿通区域位置，能够有效的降低沟道内防穿通离子浓度，提高晶体管沟道内载流子迁移率，提高沟道性能，改善所形成晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有鳍部；形成位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子，在所述栅极结构下方的鳍部内形成防穿通区域；向所述开口内填充半导体材料，形成半导体层；对所述半导体层进行掺杂，形成源漏掺杂区。
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