[发明专利]环形栅薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610537700.3 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106449407B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘立滨;梁仁荣;许军;王敬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了环形栅薄膜晶体管及其制备方法。该方法包括：(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层；(2)对所述牺牲层进行刻蚀，以便形成沟道层模板，所述沟道层模板的侧壁自上至下具有垂直段和斜面段；(3)在源区、漏区以及所述沟道区沉积沟道层；(4)基于所述沟道层模板，对所述沟道区的所述沟道层进行蚀刻处理，以便形成纳米线；(5)除去所述沟道层模板；以及(6)在所述源区、漏区以及沟道区沉积金属，以便形成源极漏极以及栅极。本发明提出的方法具有成本低廉、操作简便、易于扩大生产规模、沟道区纳米线形貌可控性高等有点的至少之一。 | ||
| 搜索关键词： | 环形 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备环形栅薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层；(2)对所述牺牲层进行刻蚀，以便形成沟道层模板，所述沟道层模板的侧壁自上至下具有垂直段和斜面段；(3)在源区、漏区以及所述沟道区沉积沟道层；(4)基于所述沟道层模板，对所述沟道区的所述沟道层进行蚀刻处理，以便形成纳米线；(5)除去所述沟道层模板；以及(6)在所述源区、漏区以及沟道区沉积金属，以便形成源极漏极以及栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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