[发明专利]TFT液晶显示器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610539705.X | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106200170A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 高冬子 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明披露一种TFT液晶显示器件及其制作方法，TFT液晶显示器件，包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，在所述第一金属层上沉积有第一氮化硅保护膜；第二金属层，沉积在所述第一氮化硅保护膜上，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅保护膜；导电薄膜，沉积在刻蚀掉所述第二氮化硅保护膜的所述第二金属层上，并通过穿过所述第二氮化硅保护膜与第一氮化硅保护膜的接触孔与所述第一金属层连接，以使所述第一金属层与第二金属层连接导通。通过本发明提供的TFT液晶显示器件及其制作方法，导电薄膜在不同金属层之间连接距离减小，金属之间的接触阻值也随着减小，从而有效的降低接触电阻，提高产品良率，提升产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | tft 液晶显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT液晶显示器件，其特征在于，包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，在所述第一金属层上沉积有第一氮化硅保护膜；第二金属层，沉积在所述第一氮化硅保护膜上，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅保护膜；导电薄膜，沉积在刻蚀掉所述第二氮化硅保护膜的所述第二金属层上，并通过穿过所述第二氮化硅保护膜与第一氮化硅保护膜的接触孔与所述第一金属层连接，以使所述第一金属层与第二金属层连接导通。
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