[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置在审
申请号: | 201610539817.5 | 申请日: | 2016-07-11 |
公开(公告)号: | CN107611247A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 | 申请(专利权)人: | 林宗宏 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此,透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性,可大幅提高热电转换效率。再者,此种热电装置不受大小规模限制,且具有轻薄体积以及可挠特性,具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。 | ||
搜索关键词: | 成长 碲化物 纳米 阵列 导电 基材 方法 热电 装置 | ||
【主权项】:
一种成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法,其是用以形成碲及碲化物纳米线热电材料,并制备成一热电装置,该成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法,其特征在于包含:准备一导电基材;准备包含一碲前驱物及一还原剂的一混合溶液;将该导电基材浸入该混合溶液中;以及令该碲前驱物及该还原剂于该导电基材上反应形成多个碲及碲化物纳米线。
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