[发明专利]一种实现二维材料图形化的方法在审
| 申请号： | 201610539936.0 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106115681A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高凡;施毅;鄢波;隋成华;吕斌;蔡萍根;李芸;陈乃波;卢忠 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;H01L21/268;G03F7/20 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 胡丽英 |
| 地址： | 310014 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及器件加工方法，尤其是一种二维材料的加工方法。本发明中的一种实现二维材料图形化的方法，包括如下步骤：1）将转移过单层石墨烯材料的二氧化硅/硅衬底放置在操作台上；2）将位相光栅放置在样品上方，根据需求可选择一维或二维位相光栅实现石墨烯纳米带或纳米孔洞结构；3）使用激光照射位相光栅和样品；激光通过位相光栅发生相干现象形成激光能量的空间分布，照射到石墨烯上实现大规模的图形化结构。采用非接触方式，快速、大规模实现二维材料的图形化，避免复杂流程对二维材料的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 二维 材料 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种实现二维材料图形化的方法，采用仪器包括衬底、二维材料薄膜、位相光栅和激光；衬底是二维材料薄膜的生长或转移模板，位相光栅是用于产生空间干涉图形的光学元件，激光为KrF准分子激光；二维材料薄膜为单层石墨烯；实现二维材料图形化包括如下步骤：1）将转移过单层石墨烯材料的二氧化硅/硅衬底放置在操作台上；2）将位相光栅放置在样品上方，根据需求可选择一维或二维位相光栅实现石墨烯纳米带或纳米孔洞结构；3）使用激光照射位相光栅和样品；激光通过位相光栅发生相干现象形成激光能量的空间分布，照射到石墨烯上实现大规模的图形化结构。
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