[发明专利]一种超势垒整流器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610540473.X | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106098686B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈茜;胡玮;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体整流器，尤其涉及一种超势垒整流器及其制备方法。本发明中超势垒整流器SBR开态时，高浓度的半导体漂移区201为超势垒整流器SBR提供了大量的多数载流子，形成了多个低阻电流通道，极大地减小了超势垒整流器SBR的导通电阻，从而大大的降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超势垒 整流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超势垒整流器，其特征在于，包括：一底部衬底和所述底部衬底之上的一外延层，所述外延层中的顶部形成有一本体区，以及包括除所述本体区之外的其余外延层的第一区域，其中，所述外延层中形成有多个半导体漂移区；形成在所述外延层中并且在底部和侧壁内衬有栅极氧化层的栅极沟槽；形成于所述栅极沟槽内的控制栅极，所述栅极沟槽延伸至所述第一区域中；形成于所述本体区的顶部的多个掺杂区，以及所述栅极沟槽的两侧形成有所述掺杂区；以及相邻的栅极沟槽间的掺杂区通过一本体接触区连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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