[发明专利]用于静电放电保护的半导体结构

摘要

本发明公开一种用于静电放电保护的半导体结构，其包括一基板、一第一掺杂阱、一源极掺杂区域、一漏极掺杂区域以及一栅极结构。第一掺杂阱设置于基板内，且具有一第一导电型。源极掺杂区域设置于基板内，且具有一第二导电型，第二导电型与第一导电型相反。漏极掺杂区域设置于基板内，且具有第二导电型。栅极结构设置于基板上，且位于源极掺杂区域与漏极掺杂区域之间。栅极结构与源极掺杂区域分开。

主权项

一种用于静电放电保护的半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：基板；第一掺杂阱，设置于该基板内，且具有第一导电型；源极掺杂区域，设置于该基板内，且具有第二导电型，该第二导电型与该第一导电型相反；漏极掺杂区域，设置于该基板内，且具有该第二导电型；以及栅极结构，设置于该基板上，且位于该源极掺杂区域与该漏极掺杂区域之间；其中该栅极结构直接接触该漏极掺杂区域且与该源极掺杂区域分开。