[发明专利]具有掺杂的隔离绝缘层的鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610541815.X | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106409679B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;王廷君;游伟明;吴佳纹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成一个或多个鳍；在一个或多个鳍上方形成隔离绝缘层。将掺杂剂引入隔离绝缘层。对含有掺杂剂的隔离绝缘层进行退火，并且去除氧化物层的一部分，以暴露鳍的一部分。本发明还提供了具有掺杂的隔离绝缘层的鳍式场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 隔离 绝缘 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成一个或多个鳍；在所述一个或多个鳍上方形成隔离绝缘层；将与氧反应的掺杂剂引入所述隔离绝缘层；对含有所述掺杂剂的所述隔离绝缘层进行退火；以及去除所述第一绝缘层的一部分以暴露所述一个或多个鳍的一部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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