[发明专利]多孔金汞离子检测荧光芯片制备方法及荧光芯片用途在审
| 申请号： | 201610542431.X | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106179542A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张玲;王铮;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔金汞离子检测荧光芯片制备方法及荧光芯片用途，将金银合金放入硝酸中腐蚀后取出，清洗，物理吸附至聚合物上均匀加热后得到多孔金基底；然后多孔金基底加入4‑巯基丙酸溶液浸泡；最后加入罗丹明6G溶液浸泡后取出，即可得最终产物多孔金汞离子检测荧光芯片。多孔金汞离子检测荧光芯片可用于含有汞离子的溶液的检测，对汞离子具有高度的选择性，对其它常用离子都无明显干扰。本发明方法制得的芯片灵敏度高，精确度好，检测速度快，操作简单，成本低，能耗小，可以在环境检测，食品安全，疾病检测等领域有广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 离子 检测 荧光 芯片 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种多孔金汞离子检测荧光芯片制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1）将金银比例35%和65%的金银合金放入71%硝酸中腐蚀6小时后取出，用去离子水清洗，物理静电吸附至聚合物上80℃均匀加热2小时后得到多孔金基底；2)多孔金基底加入浓度为1mMol/L的4‑巯基丙酸溶液浸泡1小时；3)加入浓度为0.1μMol/L罗丹明6G溶液浸泡2小时后取出，即可得最终产物为被罗丹明6G修饰的多孔金汞离子检测荧光芯片。
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