[发明专利]自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底上平行排列的底部阴极电极条和底部栅极电极条，覆盖在上述电极条上的绝缘层，制作在绝缘层上方通过绝缘层上刻蚀通孔与底部相应电极条连接的环状顶部栅极电极和顶部阴极电极以及聚焦极电极，制作在顶部阴极电极上的圆形纳米线冷阴极阵列。本发明还进一步公开了所述纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明提供的自对准聚焦极结构可逐行寻址的纳米线冷阴极电子源阵列结构，其制作工艺简单，具有较好的调控电子发射和聚焦电子束的能力，在平板X射线源方面有重要应用前景。

主权项

一种自对准聚焦极结构可逐行寻址的纳米线冷阴极电子源阵列结构，其特征在于所述结构包括：a)衬底；b)制作在该衬底上且平行排列的底部阴极电极条和底部栅极电极条；c)覆盖在上述底部阴极电极条及底部栅极电极条上的绝缘层，所述绝缘层上制作有使底部阴极电极条及底部栅极电极条局部裸露且相互不连通的刻蚀通孔阵列；d)制作于绝缘层上的圆形顶部阴极电极，所述顶部阴极电极绕刻蚀通孔开口一周且与底部阴极电极条连接；e)制作在绝缘层上且位于圆形顶部阴极电极周围的环形顶部栅极电极，所述环形顶部栅极通过刻蚀通孔与该底部栅极电极条连接；f)制作在绝缘层上且位于顶部栅极电极外侧四周的聚焦极电极；g)制作在顶部阴极电极上的纳米线冷阴极阵列。