[发明专利]一种电压调控纯自旋流多路分接器有效
| 申请号： | 201610542883.8 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106057875B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;粟傈;林晓阳 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 11232 北京慧泉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电压调控纯自旋流多路分接器，其特征在于：包括栅电压结构、自旋沟道及基底；其中，栅电压结构包括栅电极和绝缘层材料两个部分；栅电压结构具体为三类电压控制结构：顶栅电压控制、背栅电压控制和双栅电压控制。本发明实现电压调控纯自旋流的分配，有以下优势：通过电压调控，代替传统磁场改变自旋信号中产生的能量损耗，降低器件的功耗；通过调控电压大小，实现不同沟道自旋电阻的大小改变，控制纯自旋流的分配，实现多路分接器的可重构性；作为可重构逻辑电路的基本单元，简化自旋逻辑电路的设计，提高了电路集成度，便于工艺与制作加工；除了纯自旋流逻辑电路，本发明还可用于自旋流调制器等新型自旋逻辑应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 调控 自旋 流多路分接器 | ||
【主权项】：
1.一种电压调控纯自旋流多路分接器，其特征在于：包括栅电压结构、自旋沟道及基底；其中，栅电压结构包括栅电极和绝缘层材料两个部分；栅电压结构具体为三类电压控制结构：顶栅电压控制、背栅电压控制和双栅电压控制；/n通过采用传统的分子束外延、电子束蒸发、热蒸发、原子层沉积或磁控溅射的方法将器件的各层物质按照从下到上的顺序镀在衬底上，然后进行光刻、刻蚀的微纳加工工艺来制备器件。/n
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