[发明专利]一种光写入的非易失性磁存储器有效
| 申请号： | 201610542915.4 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106229004B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;林晓阳;郑明阳;斯志仲;孙艳明;江雷 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光写入的非易失性磁存储器，由光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路构成；光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成，点阵与磁隧道结阵列一一对应，通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态，完成对单个磁隧道结存储状态的写入；读写控制电路由字线、位线、晶体管、灵敏放大器及附属电路构成，进行存储单元的选通和读写控制；磁隧道结由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁参考层、隧穿层一、光敏非磁层、隧穿层二、铁磁自由层、顶端电极；其中铁磁自由层和铁磁参考层位置可互换。本发明可实现数据光写入，减小了隧穿电流，降低了功耗，具有非易失性，降低了写入过程中能耗和延迟，在便于器件小型化的同时降低比特误码率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 写入 非易失性 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种光写入的非易失性磁存储器，其特征在于：该磁存储器由三部分构成：光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路；光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成，该点阵与磁隧道结阵列一一对应，通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态，从而完成对单个磁隧道结存储状态的写入；读写控制电路由字线、位线、晶体管、灵敏放大器及附属电路构成，进行存储单元的选通和读写控制；磁隧道结的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁参考层、隧穿层一、光敏非磁层、隧穿层二、铁磁自由层、顶端电极；其中铁磁自由层和铁磁参考层的位置可以互换。
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