[发明专利]一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法

摘要

一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于经过表面除污、碱性腐蚀、化学抛光等预处理，之后采用硫酸140～160g/L、硫酸铝2～4g/L、硫酸镍2～4g/L、草酸4～10g/L、酒石酸15～25g/L、磺基水杨酸5～20g/L的复合电解液在室温下选取带梯形波脉冲信号电流进行阳极氧化，之后在沸水中进行封孔处理。本发明的有益之处在于：本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法提高了成膜速度、常温氧化、能耗低，而且所制备的近共晶铝硅合金阳极氧化膜的孔致密均匀，硬度较高，耐蚀性能好。

主权项

1.一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)表面除污：将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s，之后水洗，得到表面除污后近共晶铝硅合金件；(2)碱性腐蚀：将得到的表面除污后近共晶铝硅合金件在80℃～90℃的第二碱性溶液中进行碱性腐蚀90s，之后水洗，得到碱性腐蚀后的近共晶铝硅合金件；(3)重复步骤(1)和步骤(2)；(4)化学抛光：将步骤(3)处理后的近共晶铝硅合金件在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行后续步骤；所述酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，所述氢氟酸浓度为40％，所述硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1；(5)阳极氧化：将步骤(4)处理后的近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化，得到负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金件；具体的阳极氧化工艺参数为：电流密度为2.8～3.2A/dm2，频率为40～60Hz，占空比为40％～60％，阳极氧化时间为20～40min，阳极氧化过程采用气体搅拌方式散热；所述的复合电解液包括：硫酸140～160g/L，硫酸铝2～4g/L，硫酸镍2～4g/L，草酸4～10g/L，酒石酸15～25g/L，磺基水杨酸5～20g/L；(6)封孔：将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金件放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。