[发明专利]一种大开路电压纳米异质结太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201610543913.7 | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN106057931B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 张希威;孟丹;汤振杰;胡丹;于凤军;贾拴稳;牛晓平 | 申请(专利权)人: | 安阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 李冉 |
地址: | 455000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明是公开了一种大开路电压纳米异质结太阳能电池及制备方法。其包括衬底层、p‑型半导体纳米线、金电极、钝化层、n‑型半导体薄膜、钛电极。首先将p‑型半导体纳米线转移至衬底层上;然后使用光刻技术和磁控溅射法在p‑型半导体纳米线的一端之上沉积金电极;接着采用光刻技术和原子层沉积法在p‑型半导体纳米线的另一端之上沉积钝化层;再利用原子层沉积法在钝化层之上沉积n‑型半导体薄膜;最后使用磁控溅射法在n‑型半导体薄膜之上沉积钛电极。本发明采用纳米异质结结构,通过材料的选择、结构和工艺的优化实现了开路电压达1V以上的大开路电压太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 开路 电压 纳米 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大开路电压纳米异质结太阳能电池,其特征在于:包括衬底层(1),所述衬底层(1)之上设有p‑型半导体纳米线(2),所述p‑型半导体纳米线(2)的一端之上设有金电极(3),所述p‑型半导体纳米线(2)的另一端之上设有钝化层(4),所述钝化层(4)之上设有n‑型半导体薄膜(5),所述n‑型半导体薄膜(5)之上设有钛电极(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的