[发明专利]一种大开路电压纳米异质结太阳能电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201610543913.7 申请日: 2016-07-05
公开(公告)号: CN106057931B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 张希威;孟丹;汤振杰;胡丹;于凤军;贾拴稳;牛晓平 申请(专利权)人: 安阳师范学院
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0445
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 李冉
地址: 455000 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明是公开了一种大开路电压纳米异质结太阳能电池及制备方法。其包括衬底层、p‑型半导体纳米线、金电极、钝化层、n‑型半导体薄膜、钛电极。首先将p‑型半导体纳米线转移至衬底层上;然后使用光刻技术和磁控溅射法在p‑型半导体纳米线的一端之上沉积金电极;接着采用光刻技术和原子层沉积法在p‑型半导体纳米线的另一端之上沉积钝化层;再利用原子层沉积法在钝化层之上沉积n‑型半导体薄膜;最后使用磁控溅射法在n‑型半导体薄膜之上沉积钛电极。本发明采用纳米异质结结构,通过材料的选择、结构和工艺的优化实现了开路电压达1V以上的大开路电压太阳能电池。
搜索关键词: 一种 开路 电压 纳米 异质结 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种大开路电压纳米异质结太阳能电池,其特征在于:包括衬底层(1),所述衬底层(1)之上设有p‑型半导体纳米线(2),所述p‑型半导体纳米线(2)的一端之上设有金电极(3),所述p‑型半导体纳米线(2)的另一端之上设有钝化层(4),所述钝化层(4)之上设有n‑型半导体薄膜(5),所述n‑型半导体薄膜(5)之上设有钛电极(6)。
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