[发明专利]一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法在审
申请号: | 201610544388.0 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106248735A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 李春;郭华阳;兰长勇;王帅;何天应 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法。该传感器包括衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于湿度敏感层上的叉指电极。湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。本发明采用超薄二硫化钨薄膜作为湿度敏感材料,具有大的比表面积和优异的湿敏特性,所制备的电阻型湿度传感器具有结构简单、易于集成、兼容柔性基底、无需加热和功耗低的优点,便于规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 超薄 硫化物 薄膜 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器,其特征是,包括:衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于所述湿度敏感层上的叉指电极;所述湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,所述二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。
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