[发明专利]一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610544388.0 申请日: 2016-07-12
公开(公告)号: CN106248735A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 李春;郭华阳;兰长勇;王帅;何天应 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 代理人: 李蕊
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法。该传感器包括衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于湿度敏感层上的叉指电极。湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。本发明采用超薄二硫化钨薄膜作为湿度敏感材料,具有大的比表面积和优异的湿敏特性,所制备的电阻型湿度传感器具有结构简单、易于集成、兼容柔性基底、无需加热和功耗低的优点,便于规模化生产。
搜索关键词: 一种 基于 超薄 硫化物 薄膜 湿度 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器,其特征是,包括:衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于所述湿度敏感层上的叉指电极;所述湿度敏感层为二硫化钨薄膜层,所述二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。
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