[发明专利]一种基于Mason模型的FBAR滤波器优化方法在审

专利信息
申请号: 201610544562.1 申请日: 2016-07-12
公开(公告)号: CN106160693A 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 李国强;李洁;刘国荣 申请(专利权)人: 佛山市艾佛光通科技有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;G06F17/50
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 谈杰
地址: 528226 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于Mason模型的FBAR滤波器优化方法。应用ADS软件仿真基于Mason模型的FBAR梯形滤波器,综合运用该软件的目标和优化两大控件对FBAR谐振面积和各膜层厚度自动调谐,传输性能同时满足带内插损和带外抑制的指标要求。本发明避免手动修改FBAR参数的低效做法,利用计算机强大的运算能力使用封装后的二端口元件,极大简化滤波器设计电路,并且便于模拟各种材料制备的FBAR的谐振频率,优化各种拓扑结构FBAR滤波器的参数值;为调谐得到FBAR更优几何参数、探究各物理参数影响器件传输性能的深层机制提供了新思路。
搜索关键词: 一种 基于 mason 模型 fbar 滤波器 优化 方法
【主权项】:
一种基于Mason模型的FBAR滤波器优化方法,其特征在于,其包括以下步骤:(1)构建原理图:根据Mason模型在ADS原理图中新增对应的电子元件和连线,构成电路图;(2)修改元件参数值:选择压电层和电极层材料,根据所选材料的物理参数更新原理图中的元件参数值;(3)定义各膜层的几何参数:根据工作频率设定压电层厚度、电极层厚度和谐振面积;(4)添加端口:上、下电极层的其中一个声学端口与压电层的声学端口级联,另一个声学端口接地,压电层的电学端口定义为Port1、port2;(5)封装成库文件:应用ADS软件的Symbol功能,将步骤(2)‑步骤(4)制作的电路模型封装为二端口元件,简化滤波器设计电路;(6)新建仿真电路原理图:在ADS同一个Cell文件中新建原理图,调用步骤(5)封装的库文件,连线完成滤波器电路图;(7)添加仿真元件:在电路原理图中添加信号源Term1,Term2,分别接地,以及S参数仿真工具S‑PARAMETERS,设定仿真起始频率、终止频率及步长;(8)提取初步仿真结果:利用S参数控件仿真,Plot Trace中添加dB(S(2,1))作为仿真结果显示;(9)添加目标和优化控件:应用ADS软件自带的目标值(GOAL)和优化功能(Optimize)两大控件对滤波器S参数进行优化,设定三个目标值,设定并联谐振器上电极、串联谐振面积、并联谐振面积为优化变量;(10)开始自动优化,直到传输曲线达到目标值,或已优化到该滤波器结构的理论最优值;(11)确定优化后的FBAR各膜层的几何参数和滤波器结构。
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