[发明专利]薄膜体声波谐振器物理参数的优化方法在审

专利信息
申请号: 201610544684.0 申请日: 2016-07-12
公开(公告)号: CN106446321A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 李国强;刘国荣;谢昌俊;李洁 申请(专利权)人: 佛山市艾佛光通科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 谈杰
地址: 528116 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了薄膜体声波谐振器物理参数的优化方法,包括电极层与压电层的等效模型的建立,应用ADS软件调谐薄膜体声波谐振器的压电层物理参数,仿真基于Mason模型的薄膜体声波谐振器的品质因数和有效机电耦合系数。本发明通过FBAR串并联谐振频率来得出FBAR有效机电耦合系数,通过相频特性来计算器件品质因数。通过此方法,直接优化了FBAR压电材料物理属性中的夹持介电常数、压电应力常数、密度、弹性劲度常数对FBAR器件性能的影响,为通过改变薄膜物理属性优化谐振器的方法提供了理论依据。
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 物理 参数 优化 方法
【主权项】:
薄膜体声波谐振器物理参数的优化方法,其特征在于,其包括以下步骤:(1)在ADS中建立电极的等效模型:以Al电极为例,根据传输线理论及材料的声学属性,计算出电极的输入阻抗;(2)根据压电方程,将传统压电体的Mason模型输入到ADS软件中;(3)将电极层的等效电路接入到传统压电层的等效电路中,级联得到传统FBAR的等效电路;(4)对FBAR等效电路进行修正,将压电模型中材料的纵波声速、声阻抗、有效机电耦合系数和衰减因子通过我们所需要探究的夹持介电常数、压电应力常数、密度、弹性劲度常数进行替换;(5)S参数仿真计算:根据FBAR的电学阻抗特性曲线来反应FBAR的相关参数指标,采用双端口进行网络仿真,阻抗特性用S参数表征;(6)添加计算品质因数和有效机电耦合系数的公式:在ADS软件中输入“abs(diff(phase(50*((1+S(1,1))*(1+S(2,2))‑S(1,2) *S(2,1)/(2*S(2,1)))))”,得到相位对频率微分的绝对值,分别得到串并联谐振频率就能计算出Q值,有效机电耦合系数通过 (π/2) 2 * [(fp‑fs)/fp] 计算;(7)调谐:在模型中定义以上四个物理参数为定值,通过软件的调谐(Tune)功能,对以上四个值进行等步长变化,对变量进行单一控制,来得到单个物理参数不同数值下器件的串并联谐振频率和品质因数,运用公式计算出器件的有效机电耦合系数,运用做图法观察指标变化规律,通过分析得出物理解释。
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