[发明专利]一种2~4 GHz GaAs无源双平衡混频器芯片及其设计方法在审
申请号: | 201610544767.X | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106156435A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 许欢 | 申请(专利权)人: | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H03D7/14 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种2~4GHz GaAs无源双平衡混频器芯片及其设计方法,属于单片微波集成电路领域(MMIC);一种2~4 GHz GaAs无源双平衡混频器芯片包括RF_BALUN,LO_BALUN,肖特基二极管和匹配元件;四个完全相同的二极管首尾串联成环,与两个巴伦相连,实现从单端到差分的转换;输出IF从任意一个巴伦的中心抽头点引出或从RF侧巴伦引出,LO侧巴伦中心点接地;利用仿真辅助性能参数优化,通过调节巴伦匝数比、二极管尺寸、增加匹配元件来调整混频器的工作频率、变频增益、端口驻波;MMIC无源双平衡混频器芯片比传统混合集成电路尺寸小、集成度高、性能稳定、一致性好,能够简化系统设计,减小模块尺寸。 | ||
搜索关键词: | 一种 ghz gaas 无源 平衡混频器 芯片 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种2~4 GHz GaAs无源双平衡混频器芯片,包括RF_BALUN,LO_BALUN,肖特基二极管和匹配元件,肖特基二极管构成中心混频单元,中心混频单元分别与两个巴伦相连,其特征在于:a.所述的RF_BALUN,输入端口(PORT1)接射频信号RF,在射频信号输入线路一端接电容(C2),另一端接地,输出绕组的中间抽头接输出端口(PORT3),其余两端一端连接肖特基二极管(D2)的输出端,另一端连接肖特基二极管(D4)的输出端;b.所述的LO_BALUN,输入端口(PORT2)接本振信号LO,在输入端口(PORT2)线路上接电容(C3)一端,电容(C3)另一端与LO_BALUN输入绕组一端相连,LO_BALUN输入绕组另一端接电容(C1)一端,电容(C1)另一端接地,LO_BALUN输出绕组中心抽头接地,上下两端分别接肖特基二极管(D1,D3)的输出端,输出端口(PORT3)引出信号,实现单端到差分的转换;c.所述的肖特基二极管,采用四个完全相同的二极管(D1,D2,D3,D4)首尾串联成环状结构。
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